CAS-Einstelltungen wg. neuer Speicher

1. wieviele speicher benutzt du jetzt?
 bank
1?
2?
3?
4?

wenn dein aktueller mit 200mhz nur die cas latency von 3 schaffen, und die rams mit 200 mhz getaktet sind, würde ich ein casL von 3 einstellen im bios!

DIMM 1
DIMM 2 double sided
genauso gemacht, wie es im Handbuch steht.

wenn dein aktueller mit 200mhz nur die cas latency von 3 schaffen, und die rams mit 200 mhz getaktet sind, würde ich ein casL von 3 einstellen im bios!

war grad im Bios
welche von den Cas?
ras to cas
und
und
und
alle drei WErte auf 3 setzen?

Hast du den RAM mal in den anderen beiden Steckplätzen (du müsstest insgesamt 3 haben) ausprobiert ??? Asus ist da nämlich sehr empfindlich ...  

  tRCD [Bearbeiten]

Der Parameter „tRCD“ („RAS-to-CAS delay“, „Row-to-Column delay“) beschreibt bei einem DRAM die Zeit, die nach der Aktivierung einer Wortleitung („Activate“) verstrichen sein muss, bevor ein Lesekommando („Read“) gesendet werden darf. Der Parameter ist dadurch bedingt, dass das Verstärken der Bitleitungsspannung und das Rückschreiben des Zellinhaltes abgeschlossen sein muss, bevor die Bitleitungen mit den Datenleitungen weiterverbunden werden dürfen.

CL [Bearbeiten]

Der Parameter „CL“ („CAS Latency“, auch tCL) beschreibt die Zeit, welche zwischen der Absendung eines Lesekommandos („Read“) und dem Erhalt der Daten vergeht.

Siehe auch: Column Address Strobe Latency

tRAS [Bearbeiten]
Veranschaulichung der Definition der Timing-Parameter tRAS, tRP und tRC
Veranschaulichung der Definition der Timing-Parameter tRAS, tRP und tRC

Der Parameter „tRAS“ („RAS pulse width“, „Active Command Period“, „Bank Active Time“) beschreibt die Zeit, die nach der Aktivierung einer Zeile (bzw. einer Zeile in einer Bank) verstrichen sein muss, bevor ein Kommando zum Deaktivieren der Zeile („Precharge“, Schließen der Bank) gesendet werden darf. Der Parameter ist dadurch gegeben, dass die Verstärkung der Bitleitungsspannung und das Rückschreiben der Information in die Zelle vollständig abgeschlossen sein muss, bevor die Wortleitung deaktiviert werden darf.

tRP [Bearbeiten]

Der Parameter „tRP“ („Row Precharge Time“) beschreibt die Zeit, die nach einem Precharge-Kommando mindestens verstrichen sein muss, bevor ein erneutes Kommando zur Aktivierung einer Zeile in der gleichen Bank gesendet werden darf. Diese Zeit ist durch die Bedingung definiert, dass alle Spannungen im Zellenfeld (Wortleitungsspannung, Versorgungsspannung der Leseverstärker) abgeschaltet sind und die Spannungen aller Leitungen (insbesondere die der Bitleitungen) wieder auf ihrem Ausgangsniveau angekommen sind.

tRC [Bearbeiten]

Der Parameter „tRC“ („Row Cycle Time“) beschreibt die Zeitdauer, die zwischen zwei aufeinanderfolgenden Aktivierungen zweier beliebiger Zeilen in derselben Bank verstrichen sein muss. Der Wert entspricht weitgehend der Summe der Parameter tRAS und tRP und beschreibt somit die minimal notwendige Zeit, um eine Speicherzeile aufzufrischen.

diverse Einstellungen haben nicht zum gewünschten Erfolg geführt.

Wie mache ich ein Bios-Reset.

Entweder mal die Bios-Batterie für ca. 30 Minutem vom Board nehmen oder in den Bios-Einstellungen den Punkt "Set Bios-Defaults" auswählen.

Ich hab den Fehler selbst gefunden ;-)

ICH BRAUCHE NICHT-ECC Rams.

So eine kleine Lösung hätten Profis eigentlich wissen müssen. Hab mich stundenlang im Netz selbst bemüht.

Nun werde ich die Speicher einfach tauschen, bevor ich diesen Ratschlägen nachkomme und noch vielleicht mein Bios zerstöre. Schönen Abend noch und diesmal Dank an die unprofessionelle Hilfe.

Büdde büdde, da nich für! Das hab ich ja gerne, andere dafür verantwortlich machen dass man selbst zu ... ist, sich ein paar Speicherriegel zu kaufen.

wüsste man alles, bräuchte man dieses Forum nicht.