tag zusammen. ich habe vor kurzer zeit einen laptop von samsung übernommen ( P 28 )
meine frage, kann vielleicht jemand mit ein bisschen zeit die daten des schleppis überprüfen. ich hab zb das problem das meine 2 speichertimigs unterschiedlich laufen und weiß nicht ob das so normal ist da eigentlich beide ram riegel die selben sein sollten. ich lege mal die analyse von everest dazu ....(wahrscheinlich sind es zuviele infos aber ich hab mal die ganze liste reingepackt ,,,sorry)
Betriebssystem Microsoft Windows XP Home Edition 5.1.2600 (WinXP Retail)
Datum 2008-04-08
Zeit 22:26
--------[ CPU ]---------------------------------------------------------------------------------------------------------
CPU-Eigenschaften:
CPU Typ Mobile Intel Pentium M 725, 1600 MHz (16 x 100)
CPU Bezeichnung Dothan
CPU stepping B1
Befehlssatz x86, MMX, SSE, SSE2
Vorgesehene Taktung 1600 MHz
Engineering Sample Nein
L1 Code Cache 32 KB
L1 Datencache 32 KB
L2 Cache 2 MB (On-Die, ATC, Full-Speed)
CPU Technische Informationen:
Gehäusetyp 479 Ball uFCBGA / 478 Pin uFCPGA
Transistoren 140 Mio.
Fertigungstechnologie 7M, 90 nm, CMOS, Cu, Low-K Inter-Layer, High-K Gate, Strained Si
Gehäusefläche 88 mm2
Core Spannung 0.988 - 1.308 V
I/O Spannung 0.988 - 1.308 V
Typische Leistung 3.0 - 21.0 W (Abhängig von der Taktung)
Maximale Leistung 3.3 - 28.1 W (Abhängig von der Taktung)
CPU Hersteller:
Firmenname Intel Corporation
Produktinformation http://www.intel.com/products/browse/processor.htm
CPU Auslastung:
CPU #1 0 %
--------[ Motherboard ]-------------------------------------------------------------------------------------------------
Motherboard Eigenschaften:
Motherboard ID Unbekannt
Motherboard Name Unbekannt
Front Side Bus Eigenschaften:
Bustyp Intel NetBurst
Busbreite 64 Bit
Tatsächlicher Takt 100 MHz (QDR)
Effektiver Takt 400 MHz
Bandbreite 3200 MB/s
Speicherbus-Eigenschaften:
Bustyp DDR SDRAM
Busbreite 64 Bit
Tatsächlicher Takt 200 MHz (DDR)
Effektiver Takt 400 MHz
Bandbreite 3200 MB/s
Chipsatzbus-Eigenschaften:
Bustyp ATI A-Link
Busbreite 8 Bit
Tatsächlicher Takt 67 MHz (QDR)
Effektiver Takt 267 MHz
Bandbreite 267 MB/s
--------[ Speicher ]----------------------------------------------------------------------------------------------------
Arbeitsspeicher:
Gesamt 510 MB
Belegt 381 MB
Frei 129 MB
Ausgenutzt 75 %
Auslagerungsdatei:
Gesamt 1249 MB
Belegt 566 MB
Frei 683 MB
Ausgenutzt 45 %
Virtueller Speicher:
Gesamt 1760 MB
Belegt 947 MB
Frei 813 MB
Ausgenutzt 54 %
Physical Address Extension (PAE):
Supported by Operating System Ja
Supported by CPU Nein
Aktiv Nein
--------[ SPD ]---------------------------------------------------------------------------------------------------------
[ DIMM1: Samsung M4 70L3224FT0-CB3 ]
Arbeitsspeicher Eigenschaften:
Modulname Samsung M4 70L3224FT0-CB3
Seriennummer 080A5B9Ah
Modulgröße 256 MB (2 ranks, 4 banks)
Modulart Unbuffered
Speicherart DDR SDRAM
Speichergeschwindigkeit PC2700 (166 MHz)
Modulbreite 64 bit
Modulspannung SSTL 2.5
Fehlerkorrekturmethode Keine
Auffrischungsrate Reduziert (7.8 us), Self-Refresh
Speicher Timings:
@ 166 MHz 2.5-3-3-7 (CL-RCD-RP-RAS)
@ 133 MHz 2.0-3-3-6 (CL-RCD-RP-RAS)
Speichermodulbesonderheiten:
Early RAS# Precharge Nicht unterstützt
Auto-Precharge Nicht unterstützt
Precharge All Nicht unterstützt
Write1/Read Burst Nicht unterstützt
Buffered Address/Control Inputs Nicht unterstützt
Registered Address/Control Inputs Nicht unterstützt
On-Card PLL (Clock) Nicht unterstützt
Buffered DQMB Inputs Nicht unterstützt
Registered DQMB Inputs Nicht unterstützt
Differential Clock Input Unterstützt
Redundant Row Address Nicht unterstützt
Speichermodulhersteller:
Firmenname Samsung
Produktinformation http://www.samsung.com/Products/Semiconductor/DRAM/index.htm
[ DIMM2: Samsung M4 70L3224FT0-CB3 ]
Arbeitsspeicher Eigenschaften:
Modulname Samsung M4 70L3224FT0-CB3
Seriennummer 08085BA8h
Modulgröße 256 MB (2 ranks, 4 banks)
Modulart Unbuffered
Speicherart DDR SDRAM
Speichergeschwindigkeit PC2700 (166 MHz)
Modulbreite 64 bit
Modulspannung SSTL 2.5
Fehlerkorrekturmethode Keine
Auffrischungsrate Reduziert (7.8 us), Self-Refresh
Speicher Timings:
@ 166 MHz 2.5-3-3-7 (CL-RCD-RP-RAS)
@ 133 MHz 2.0-3-3-6 (CL-RCD-RP-RAS)
Speichermodulbesonderheiten:
Early RAS# Precharge Nicht unterstützt
Auto-Precharge Nicht unterstützt
Precharge All Nicht unterstützt
Write1/Read Burst Nicht unterstützt
Buffered Address/Control Inputs Nicht unterstützt
Registered Address/Control Inputs Nicht unterstützt
On-Card PLL (Clock) Nicht unterstützt
Buffered DQMB Inputs Nicht unterstützt
Registered DQMB Inputs Nicht unterstützt
Differential Clock Input Unterstützt
Redundant Row Address Nicht unterstützt
Speichermodulhersteller:
Firmenname Samsung
Produktinformation http://www.samsung.com/Products/Semiconductor/DRAM/index.htm
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